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田村 浩司; 小倉 浩一; 柴田 猛順
Japanese Journal of Applied Physics, Part 1, 37(9A), p.5005 - 5007, 1998/09
被引用回数：6 パーセンタイル：32.53(Physics, Applied)二次電子放出を測定する新しい方法を開発し、0.1~3keVの範囲でNdイオン衝撃によりNd表面から発生した二次電子放出収率を測定した。Ndイオンビームはレーザーイオン源から引き出され、電極表面はNd原子により連続的に蒸着されている。イオンビームの変動は、参照シグナルによりキャリブレートされている。二次電子は0.97keVのしきい値以下では放出されなかった。それ以上のエネルギーでは、入射イオンエネルギーに対し直線的に増加した。この結果から、入射イオン量に大きな変動のある場合でもレーザーイオン源からのイオンによる二次電子放出収率を求めることができることがわかった。
